Imprimer la page
BFP650H6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 124 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,207 $ |
| 10+ | 0,207 $ |
| 25+ | 0,207 $ |
| 50+ | 0,207 $ |
| 100+ | 0,207 $ |
| 250+ | 0,207 $ |
| 500+ | 0,207 $ |
| 1000+ | 0,207 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,21 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBFP650H6327XTSA1
Code Commande85X4135
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo4.5V
Collector Emitter Voltage Max4.5V
Transition Frequency42GHz
Power Dissipation Pd500mW
Power Dissipation500mW
Continuous Collector Current150mA
DC Collector Current150mA
DC Current Gain hFE100hFE
Transistor Case StyleSOT-343
RF Transistor CaseSOT-343
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE Min100hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour BFP650H6327XTSA1
1 produit trouvé
Aperçu du produit
High linearity wideband silicon NPN RF bipolar transistor. Suitable for applications like low noise, high linearity amplifiers in SDARS receivers, low noise, high linearity amplifiers for ISM band applications and low noise, high linearity amplifiers for multimedia applications such as CATV.
- Based on SiGe:C technology
- Suitable for energy efficiency designs at frequency as high as 5GHz
- Remains cost competitive without compromising on ease of use
- Minimum noise figure NFmin = 1dB at 2.4GHz, 3V, 30mA
- High gain Gma = 17.5dB at 2.4GHz, 3V, 70mA
- OIP3 = 30dBm at 2.4GHz, 3V, 70mA
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
500mW
Continuous Collector Current
150mA
DC Current Gain hFE
100hFE
RF Transistor Case
SOT-343
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
4.5V
Transition Frequency
42GHz
Power Dissipation
500mW
DC Collector Current
150mA
Transistor Case Style
SOT-343
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit