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BFP840ESDH6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBFP840ESDH6327XTSA1
Code Commande50Y1760
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max2.25V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo2.25V
Transition Frequency80GHz
Power Dissipation75mW
Power Dissipation Pd75mW
Continuous Collector Current35mA
DC Collector Current35mA
Transistor Case StyleSOT-343
RF Transistor CaseSOT-343
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE150hFE
DC Current Gain hFE Min150hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
2.25V
Power Dissipation
75mW
Continuous Collector Current
35mA
Transistor Case Style
SOT-343
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE Min
150hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage Max
2.25V
Transition Frequency
80GHz
Power Dissipation Pd
75mW
DC Collector Current
35mA
RF Transistor Case
SOT-343
DC Current Gain hFE
150hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit