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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 17 semaine(s)
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 0,214 $ |
10+ | 0,159 $ |
25+ | 0,142 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
1,07 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBFR182WH6327XTSA1
Code Commande50Y1764
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo12V
Collector Emitter Voltage Max12V
Transition Frequency8GHz
Power Dissipation Pd250mW
Power Dissipation250mW
DC Collector Current35mA
Continuous Collector Current35mA
DC Current Gain hFE70hFE
Transistor Case StyleSOT-323
RF Transistor CaseSOT-323
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min70hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
NPN silicon RF transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1mA to 20mA.
- fT = 8GHz, NFmin = 0.9dB at 900MHz
- Qualified according AEC Q101
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
12V
Power Dissipation Pd
250mW
DC Collector Current
35mA
DC Current Gain hFE
70hFE
RF Transistor Case
SOT-323
DC Current Gain hFE Min
70hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
12V
Transition Frequency
8GHz
Power Dissipation
250mW
Continuous Collector Current
35mA
Transistor Case Style
SOT-323
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour BFR182WH6327XTSA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit