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BFR840L3RHESDE6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBFR840L3RHESDE6327XTSA1
Code Commande50Y1772
Votre numéro de pièce
Fiche technique
615 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,160 $ |
| 10+ | 0,823 $ |
| 25+ | 0,741 $ |
| 50+ | 0,697 $ |
| 100+ | 0,651 $ |
| 250+ | 0,606 $ |
| 500+ | 0,580 $ |
| 1000+ | 0,559 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,16 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBFR840L3RHESDE6327XTSA1
Code Commande50Y1772
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo2.25V
Collector Emitter Voltage Max2.25V
Transition Frequency75GHz
Power Dissipation Pd75mW
Power Dissipation75mW
DC Collector Current35mA
Continuous Collector Current35mA
DC Current Gain hFE150hFE
Transistor Case StyleTSLP
RF Transistor CaseTSLP
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min150hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
2.25V
Power Dissipation Pd
75mW
DC Collector Current
35mA
DC Current Gain hFE
150hFE
RF Transistor Case
TSLP
DC Current Gain hFE Min
150hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
2.25V
Transition Frequency
75GHz
Power Dissipation
75mW
Continuous Collector Current
35mA
Transistor Case Style
TSLP
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour BFR840L3RHESDE6327XTSA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits