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BSC010NE2LSIATMA1
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 100 A, 0.00105 ohm, TDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC010NE2LSIATMA1
Code Commande47Y7991
Egalement appeléBSC010NE2LSI, SP000854376
Fiche technique
Options de conditionnement
7 038 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,110 $ |
| 10+ | 1,110 $ |
| 25+ | 1,110 $ |
| 50+ | 1,110 $ |
| 100+ | 1,110 $ |
| 250+ | 1,110 $ |
| 500+ | 1,110 $ |
| 1000+ | 1,060 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,11 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC010NE2LSIATMA1
Code Commande47Y7991
Egalement appeléBSC010NE2LSI, SP000854376
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)900µohm
Drain Source On State Resistance0.00105ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd96W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation96W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produits de remplacement pour BSC010NE2LSIATMA1
6 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The BSC010NE2LSI is a N-channel Power MOSFET features reduced power losses and increased efficiency for all load conditions. With the new OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solution applications.
- Optimized for high performance buck converter
- Monolithic integrated Schottky like diode
- Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
- 100% Avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free
- Reduces the number of phases in multiphase converters
- Green device
- Save space with smallest packages like CanPAK™
- Minimize EMI in the system making external snubber networks obsolete and products easy to design-in
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
On Resistance Rds(on)
900µohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.00105ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
96W
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit