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BSC026NE2LS5ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 82 A, 0.0026 ohm, TDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC026NE2LS5ATMA1
Code Commande34AC1375
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Fiche technique
5 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,219 $ |
| 10+ | 0,219 $ |
| 25+ | 0,219 $ |
| 50+ | 0,219 $ |
| 100+ | 0,219 $ |
| 250+ | 0,219 $ |
| 500+ | 0,219 $ |
| 1000+ | 0,219 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,22 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC026NE2LS5ATMA1
Code Commande34AC1375
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id82A
On Resistance Rds(on)0.0022ohm
Drain Source On State Resistance2600µohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd29W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation29W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
On Resistance Rds(on)
0.0022ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation Pd
29W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
82A
Drain Source On State Resistance
2600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
29W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit