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BSC036NE7NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 100 A, 0.0036 ohm, TDSON, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,890 $ |
| 10+ | 1,890 $ |
| 25+ | 1,890 $ |
| 50+ | 1,890 $ |
| 100+ | 1,890 $ |
| 250+ | 1,780 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC036NE7NS3GATMA1
Code Commande50Y1801
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0036ohm
On Resistance Rds(on)0.0029ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation156W
Power Dissipation Pd156W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- Optima's ™ 3 power transistor
- Optimized technology for synchronous rectification
- Ideal for high frequency switching and DC/DC converters
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Superior thermal resistance
- N-channel, normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.0036ohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0029ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
Power Dissipation Pd
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour BSC036NE7NS3GATMA1
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit