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BSC042NE7NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 100 A, 0.0042 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC042NE7NS3GATMA1
Code Commande79X1331
Egalement appeléBSC042NE7NS3 G, SP000657440
Fiche technique
155 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,760 $ |
| 10+ | 2,270 $ |
| 25+ | 2,140 $ |
| 50+ | 2,010 $ |
| 100+ | 1,880 $ |
| 250+ | 1,760 $ |
| 500+ | 1,630 $ |
| 1000+ | 1,590 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
13,80 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC042NE7NS3GATMA1
Code Commande79X1331
Egalement appeléBSC042NE7NS3 G, SP000657440
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0037ohm
Drain Source On State Resistance0.0042ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd125W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Aperçu du produit
The BSC042NE7NS3 G is a N-channel Power MOSFET with OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology these 75V products feature simultaneously lowest ON-state resistances and superior switching performance.
- Best switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- MSL1 rated
- Environmentally friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Ideal for high frequency switching and DC-to-DC converters
- Normal level
- Superior thermal resistance
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Audio, Communications & Networking
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
On Resistance Rds(on)
0.0037ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation Pd
125W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.0042ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (4)
Produits de remplacement pour BSC042NE7NS3GATMA1
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits