Imprimer la page
BSC059N04LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 73 A, 0.0049 ohm, SON, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC059N04LSGATMA1
Code Commande60R2499
Egalement appeléBSC059N04LS G, SP000391499
Fiche technique
99 509 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,190 $ |
| 10+ | 1,010 $ |
| 100+ | 0,668 $ |
| 500+ | 0,536 $ |
| 1000+ | 0,458 $ |
| 2500+ | 0,444 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,19 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC059N04LSGATMA1
Code Commande60R2499
Egalement appeléBSC059N04LS G, SP000391499
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id73A
Drain Source On State Resistance0.0049ohm
On Resistance Rds(on)0.0049ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd50W
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation50W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The BSC059N04LS G is a 40V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. The MOSFET is ideal for fast switching applications. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Saving space
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0049ohm
Transistor Case Style
PG-TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
73A
On Resistance Rds(on)
0.0049ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
50W
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits