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BSC060N10NS3GATMA1
MOSFET, N-CH, 100V, 90A, PG-TDSON- 8
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC060N10NS3GATMA1
Code Commande
Bobine complète86AK4451
Mise en bobine79X1333
Bandes découpées79X1333
Egalement appeléBSC060N10NS3 G, SP000446584
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Disponible jusqu à épuisement du stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,270 $ |
| 10+ | 2,420 $ |
| 25+ | 2,280 $ |
| 50+ | 2,170 $ |
| 100+ | 2,030 $ |
| 250+ | 1,910 $ |
| 500+ | 1,770 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5000+ | 1,710 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC060N10NS3GATMA1
Code Commande
Bobine complète86AK4451
Mise en bobine79X1333
Bandes découpées79X1333
Egalement appeléBSC060N10NS3 G, SP000446584
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id90A
On Resistance Rds(on)0.0053ohm
Drain Source On State Resistance0.006ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd125W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour BSC060N10NS3GATMA1
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The BSC060N10NS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Environmentally friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Halogen-free
- MSL1 rated 2
Applications
Power Management, Audio, Motor Drive & Control, Industrial, Automotive
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0053ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation Pd
125W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit