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BSC093N04LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 49 A, 0.0078 ohm, TDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC093N04LSGATMA1
Code Commande60R2507
Gamme de produitOptiMOS 3 Series
Egalement appeléBSC093N04LS G, SP000387929
Fiche technique
47 142 En Stock
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Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,382 $ |
| 10+ | 0,382 $ |
| 25+ | 0,382 $ |
| 50+ | 0,382 $ |
| 100+ | 0,382 $ |
| 250+ | 0,382 $ |
| 500+ | 0,382 $ |
| 1000+ | 0,347 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,38 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC093N04LSGATMA1
Code Commande60R2507
Gamme de produitOptiMOS 3 Series
Egalement appeléBSC093N04LS G, SP000387929
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id49A
Drain Source On State Resistance0.0078ohm
On Resistance Rds(on)0.0078ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd35W
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation35W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour BSC093N04LSGATMA1
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Aperçu du produit
The BSC093N04LS G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Saving space
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
49A
On Resistance Rds(on)
0.0078ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
35W
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0078ohm
Transistor Case Style
PG-TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit