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BSC12DN20NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 11.3 A, 0.125 ohm, TDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC12DN20NS3GATMA1
Code Commande50Y1813
Gamme de produitOptiMOS 3 Series
Fiche technique
206 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,560 $ |
| 10+ | 1,630 $ |
| 25+ | 1,450 $ |
| 50+ | 1,280 $ |
| 100+ | 1,100 $ |
| 250+ | 0,982 $ |
| 500+ | 0,866 $ |
| 1000+ | 0,797 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,56 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC12DN20NS3GATMA1
Code Commande50Y1813
Gamme de produitOptiMOS 3 Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id11.3A
On Resistance Rds(on)0.108ohm
Drain Source On State Resistance0.125ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd50W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation50W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.108ohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11.3A
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
50W
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit