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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC265N10LSFGATMA1
Code Commande97Y1251
Gamme de produitOptiMOS 2
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.0265ohm
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.85V
Power Dissipation78W
Power Dissipation Pd78W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 2
Qualification-
Produits de remplacement pour BSC265N10LSFGATMA1
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
- Optima's ™ 2 power transistor ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- N-channel, logic level
- Very low gate charge x R DS(on) product (FOM)
- Low on-resistance RDS(on)
- Qualified according to JEDEC for target applications
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0265ohm
Transistor Case Style
PG-TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
78W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.85V
Power Dissipation Pd
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit