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BSD840NH6327XTSA1
MOSFET, DUAL N CH, 20V, 0.88A, SOT-363-6
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSD840NH6327XTSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4487
Mise en bobine47Y8001RL
Bandes découpées47Y8001
Votre numéro de pièce
16 414 En Stock
16 414 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bobine complète | 5 | 0,118 $ | 0,00 $ |
| Total Prix | 0,59 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,585 $ |
| 50+ | 0,355 $ |
| 100+ | 0,223 $ |
| 250+ | 0,195 $ |
| 500+ | 0,166 $ |
| 1000+ | 0,148 $ |
| 2500+ | 0,145 $ |
| 5000+ | 0,142 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 9000+ | 0,118 $ |
| 27000+ | 0,115 $ |
| 45000+ | 0,113 $ |
Si vous souhaitez des quantités plus petites, vous pouvez sélectionner un autre type d’emballage
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSD840NH6327XTSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4487
Mise en bobine47Y8001RL
Bandes découpées47Y8001
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel880mA
Continuous Drain Current Id P Channel880mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.27ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.27ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel500mW
Power Dissipation P Channel500mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
880mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.27ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
500mW
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
880mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.27ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit