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BSG0811NDATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0024 ohm
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSG0811NDATMA1
Code Commande13AC8343
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Fiche technique
4 695 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,240 $ |
| 10+ | 2,380 $ |
| 25+ | 2,200 $ |
| 50+ | 2,030 $ |
| 100+ | 1,850 $ |
| 250+ | 1,670 $ |
| 500+ | 1,490 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,24 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSG0811NDATMA1
Code Commande13AC8343
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id50A
Continuous Drain Current Id N Channel50A
Continuous Drain Current Id P Channel50A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0024ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0024ohm
Transistor Case StyleTISON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel6.25W
Power Dissipation P Channel6.25W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id
50A
Continuous Drain Current Id P Channel
50A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0024ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
6.25W
Product Range
OptiMOS 5 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
50A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0024ohm
Transistor Case Style
TISON
Power Dissipation N Channel
6.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit