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BSO220N03MDGXUMA1
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSO220N03MDGXUMA1
Code Commande
Bobine complète86AK4497
Mise en bobine79X1339
Bandes découpées79X1339
Egalement appeléBSO220N03MD G, SP000447478
Votre numéro de pièce
4 896 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,420 $ | 7,10 $ |
| Total Prix | 7,10 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,420 $ |
| 10+ | 0,934 $ |
| 25+ | 0,848 $ |
| 50+ | 0,764 $ |
| 100+ | 0,677 $ |
| 250+ | 0,608 $ |
| 500+ | 0,537 $ |
| 1000+ | 0,487 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,410 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSO220N03MDGXUMA1
Code Commande
Bobine complète86AK4497
Mise en bobine79X1339
Bandes découpées79X1339
Egalement appeléBSO220N03MD G, SP000447478
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0183ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0183ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSO220N03MD G is a dual N-channel MOSFET optimized for 5V driver application (notebook, VGA and POL) and qualified for consumer level application. The ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages make OptiMOS™ power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in server, data-com and telecom applications.
- Low FOMSW for high frequency SMPS
- 100% Avalanche tested
- Very low ON-resistance
- Excellent gate charge
- Halogen-free
Applications
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0183ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0183ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour BSO220N03MDGXUMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits