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BSP295H6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 1.8 A, 0.3 ohm, SOT-223, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 17 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,550 $ |
| 10+ | 1,060 $ |
| 25+ | 0,955 $ |
| 50+ | 0,850 $ |
| 100+ | 0,745 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,55 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSP295H6327XTSA1
Code Commande68AC4414
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.8A
Drain Source On State Resistance0.3ohm
On Resistance Rds(on)0.22ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Power Dissipation Pd1.8W
Power Dissipation1.8W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- 60V, 1.8A SIPMOS® N-channel small signal transistor in 4 pin SOT-223 package
- Enhancement mode
- dv/dt rated
- Qualified according to AEC Q101
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.8W
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.8A
On Resistance Rds(on)
0.22ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
Power Dissipation
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BSP295H6327XTSA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit