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BSS306NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.3 A, 0.044 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,543 $ |
| 10+ | 0,260 $ |
| 25+ | 0,233 $ |
| 50+ | 0,203 $ |
| 100+ | 0,176 $ |
| 250+ | 0,174 $ |
| 500+ | 0,173 $ |
| 1000+ | 0,146 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSS306NH6327XTSA1
Code Commande85X4156
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source On State Resistance0.057ohm
On Resistance Rds(on)0.044ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation Pd500mW
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour BSS306NH6327XTSA1
1 produit trouvé
Aperçu du produit
- OptiMOS™ 2 small-signal-transistor
- N-channel
- Enhancement mode
- Logic level (4.5V rated)
- Avalanche rated
- Qualified according to AEC Q101
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.057ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
500mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
On Resistance Rds(on)
0.044ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit