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BSZ019N03LSATMA1
MOSFET, N CH, 30V, 149A, TSDSON-FL-8
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ019N03LSATMA1
Code Commande47Y8007
Gamme de produitOptiMOS Series
Fiche technique
Options de conditionnement
3 311 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,490 $ |
| 10+ | 1,150 $ |
| 25+ | 1,070 $ |
| 50+ | 0,996 $ |
| 100+ | 0,922 $ |
| 250+ | 0,908 $ |
| 500+ | 0,894 $ |
| 1000+ | 0,868 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,49 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ019N03LSATMA1
Code Commande47Y8007
Gamme de produitOptiMOS Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id149A
Drain Source On State Resistance1900µohm
On Resistance Rds(on)0.0016ohm
Transistor Case StyleTSDSON-FL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation69W
Power Dissipation Pd69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- OptiMOS™ power N-channel MOSFET
- Optimized for high performance buck converter (server, VGA), very Low FOMQ OSS for high frequency SMPS
- Low FOMSW for high frequency SMPS
- Excellent gate charge xRDS (on) product (FOM), very low on-resistance RDS(on) at VGS=4.5V
- 100% avalanche tested, superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- 1.8K/W maximum thermal resistance, junction - case
- 30V minimum drain-source breakdown voltage (VGS=0V, ID=1mA)
- 0.4 to 1.6ohm gate resistance range (Tj=25°C)
- PG-TSDSON-8 FL package, operating and storage temperature range from -55 to 150°C
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1900µohm
Transistor Case Style
TSDSON-FL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
149A
On Resistance Rds(on)
0.0016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BSZ019N03LSATMA1
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits