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BSZ086P03NS3EGATMA1
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 40 A, 0.0086 ohm, TSDSON, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,579 $ |
| 10+ | 0,576 $ |
| 25+ | 0,576 $ |
| 50+ | 0,529 $ |
| 100+ | 0,529 $ |
| 250+ | 0,528 $ |
| 500+ | 0,489 $ |
| 1000+ | 0,453 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ086P03NS3EGATMA1
Code Commande50Y1832
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.0086ohm
On Resistance Rds(on)0.0065ohm
Transistor Case StyleTSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd69W
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Optima's™ P3 power transistor suitable for battery management, load switching applications.
- Single P-channel
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Specially suited for notebook applications (VGS=25V)
- ESD protected
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0086ohm
Transistor Case Style
TSDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
69W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
40A
On Resistance Rds(on)
0.0065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour BSZ086P03NS3EGATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit