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BSZ160N10NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 40 A, 0.016 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,980 $ |
| 10+ | 1,550 $ |
| 25+ | 1,440 $ |
| 50+ | 1,310 $ |
| 100+ | 1,190 $ |
| 250+ | 1,090 $ |
| 500+ | 0,991 $ |
| 1000+ | 0,940 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ160N10NS3GATMA1
Code Commande64AH2639
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.016ohm
Transistor Case StylePG-TSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation63W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
PG-TSDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
63W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit