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CY7C1041G30-10BVXI
SRAM, Asynchronous SRAM, 4 Mbit, 256K x 16bit, VFBGA, 48 Pins, 2.2 V
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| 10+ | 7,800 $ |
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| 50+ | 7,050 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantCY7C1041G30-10BVXI
Code Commande99AC8997
Fiche technique
SRAM TypeAsynchronous SRAM
Memory Size4Mbit
Memory Density4Mbit
SRAM Memory Configuration256K x 16bit
Supply Voltage Range2.2V to 3.6V
Memory Configuration256K x 16bit
IC Case / PackageVFBGA
Memory Case StyleVFBGA
No. of Pins48Pins
Access Time10ns
Supply Voltage Min2.2V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3V
Clock Frequency Max-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
CY7C1041G30-10BVXI is a high-performance CMOS fast static RAM device with embedded ECC.
- 2.2V to 3.6V voltage rating
- 10ns high speed
- 1V data retention
- TTL-compatible inputs and outputs
- 4Mbit density and 256K x 16 organization (X x Y)
- Operating temperature range from -40°C to 85°C
- 48-ball VFBGA (6 x 8 x 1.0mm)
Spécifications techniques
SRAM Type
Asynchronous SRAM
Memory Density
4Mbit
Supply Voltage Range
2.2V to 3.6V
IC Case / Package
VFBGA
No. of Pins
48Pins
Supply Voltage Min
2.2V
Supply Voltage Nom
3V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Memory Size
4Mbit
SRAM Memory Configuration
256K x 16bit
Memory Configuration
256K x 16bit
Memory Case Style
VFBGA
Access Time
10ns
Supply Voltage Max
3.6V
Clock Frequency Max
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:3A991B2A
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit