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DF23MR12W1M1PB11BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantDF23MR12W1M1PB11BPSA1
Code Commande91AH7044
Gamme de produitEasyPACK CoolSiC Trench Series
Fiche technique
12 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 39,040 $ |
| 5+ | 39,040 $ |
| 10+ | 39,040 $ |
| 25+ | 39,040 $ |
| 50+ | 39,040 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
39,04 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantDF23MR12W1M1PB11BPSA1
Code Commande91AH7044
Gamme de produitEasyPACK CoolSiC Trench Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.045ohm
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEasyPACK CoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyPACK CoolSiC Trench Series
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (08-Jul-2021)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit