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F410MR20W3M1HB11BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 95 A, 2 kV, 0.0133 ohm, Module
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantF410MR20W3M1HB11BPSA1
Code Commande26AM1056
Gamme de produitEasyPACK Series
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantF410MR20W3M1HB11BPSA1
Code Commande26AM1056
Gamme de produitEasyPACK Series
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id95A
Drain Source Voltage Vds2kV
Drain Source On State Resistance0.0133ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins50Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
95A
Drain Source On State Resistance
0.0133ohm
No. of Pins
50Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyPACK Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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