Imprimer la page
F411MR12W2M1HPB76BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, FourPack, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, Module
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantF411MR12W2M1HPB76BPSA1
Code Commande87AK9874
Gamme de produitEasyPACK Series
Votre numéro de pièce
Fiche technique
18 En Stock
Vous en voulez davantage ?
6 Livraison dans 1-3 jours ouvrables(US stock)
12 Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Commander avant 21:00
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 210,660 $ |
| 5+ | 198,300 $ |
| 10+ | 185,930 $ |
| 25+ | 173,570 $ |
| 50+ | 168,330 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
210,66 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantF411MR12W2M1HPB76BPSA1
Code Commande87AK9874
Gamme de produitEasyPACK Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationFourPack
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0108ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins34Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
FourPack
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.0108ohm
No. of Pins
34Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
20mW
Product Range
EasyPACK Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit