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FF17MR12W1M1HB17BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF17MR12W1M1HB17BPSA1
Code Commande02AM9040
Gamme de produitEasyDUAL Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 94,980 $ |
| 5+ | 87,800 $ |
| 10+ | 80,610 $ |
| 25+ | 73,420 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF17MR12W1M1HB17BPSA1
Code Commande02AM9040
Gamme de produitEasyDUAL Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0162ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins23Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyDUAL Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.0162ohm
No. of Pins
23Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyDUAL Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit