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FF2600UXTR33T2M1BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 720 A, 3.3 kV, 0.0031 ohm, Module
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF2600UXTR33T2M1BPSA1
Code Commande20AM0101
Gamme de produitXHP 2 Series
Votre numéro de pièce
Fiche technique
2 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11 594,200 $ |
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Minimum: 1
Multiple: 1
11 594,20 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF2600UXTR33T2M1BPSA1
Code Commande20AM0101
Gamme de produitXHP 2 Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id720A
Drain Source Voltage Vds3.3kV
Drain Source On State Resistance0.0031ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins15Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max5.55V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeXHP 2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
FF2600UXTR33T2M1BPSA1 is a 3.3KV, XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET half bridge module. Suitable for traction drives, high-power converters, high-frequency switching application applications.
- Electrical features: VDSS = 3300V, IDN = 750A / IDRM = 1500A, Tvj,op = 175°C
- Low switching losses, high current density, low inductive design
- Mechanical features: high power density, high creepage and clearance distances
- Package with CTI greater than 600, Rds(on) test voltage 15V
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- AlN substrate with low thermal resistance
- 3.1mohm drain-source on-resistance at ID = 750A, VGS = 15V, Tvj = 25°C
- 720A Continuous DC drain current at Tvj = 175°C, VGS = 15V, TC = 25°C
- 5.55V gate threshold voltage at ID = 675mA, VDS = VGS, Tvj = 25°C, (after 1ms pulse at VGS = +20V)
- 20mW max power dissipation at TNTC = 25°C
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
720A
Drain Source On State Resistance
0.0031ohm
No. of Pins
15Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.55V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
3.3kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
20mW
Product Range
XHP 2 Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits