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FF33MR12W1M1HB11BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF33MR12W1M1HB11BPSA1
Code Commande78AK5646
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 50,880 $ |
| 5+ | 50,020 $ |
| 10+ | 49,150 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF33MR12W1M1HB11BPSA1
Code Commande78AK5646
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0323ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins10Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
25A
Drain Source On State Resistance
0.0323ohm
No. of Pins
10Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
20mW
Product Range
CoolSiC Trench Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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