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FF500R17KE4BOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 500 A, 1.95 V, 150 °C, Module
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF500R17KE4BOSA1
Code Commande93AC7009
Fiche technique
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
DC Collector Current500A
Continuous Collector Current500A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
Continuous Collector Current
500A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.95V
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
DC Collector Current
500A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.95V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit