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FF6MR12W2M1PB11BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, Module
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF6MR12W2M1PB11BPSA1
Code Commande91AH7523
Gamme de produitEasyDUAL CoolSiC
Fiche technique
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF6MR12W2M1PB11BPSA1
Code Commande91AH7523
Gamme de produitEasyDUAL CoolSiC
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Transistor PolarityDual N Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.00563ohm
Drain Source On State Resistance0.00563ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEasyDUAL CoolSiC
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Transistor Polarity
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.00563ohm
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyDUAL CoolSiC
Channel Type
Dual N Channel
Continuous Drain Current Id
200A
On Resistance Rds(on)
0.00563ohm
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
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Certificat de conformité du produit