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FZ2000R33HE4BOSA1
IGBT Module, Single Switch, 2 kA, 2.45 V, 150 °C, Module
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantFZ2000R33HE4BOSA1
Code Commande52AH3775
Gamme de produitIHM-B Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 57 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3 242,720 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3 242,72 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFZ2000R33HE4BOSA1
Code Commande52AH3775
Gamme de produitIHM-B Series
Fiche technique
IGBT ConfigurationSingle Switch
Continuous Collector Current2kA
DC Collector Current2kA
Collector Emitter Saturation Voltage2.45V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.2V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage V(br)ceo3.3kV
Collector Emitter Voltage Max3.3kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeIHM-B Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
FZ2000R33HE4BOSA1 is a IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode. Potential applications includes motor drives, traction drives, UPS systems, medium-voltage converters, high-power converters, active frontend (energy recovery). Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068.
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- High power density, isolated base plate
- High DC stability, high short-circuit capability
- Low switching losses, unbeatable robustness
- Stray inductance module is 6nH (typ)
- Module lead resistance, terminals - chip is 0.08mohm (TC = 25 °C, per switch)
- Collector-emitter voltage is 3300V (Tvj = -40°C)
- Repetitive peak collector current is 4000A (tp limited by Tvj op)
- Gate threshold voltage is 5.80V (typ, IC = 94mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C)
- Temperature under switching conditions range from -40 to 150°C
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Single Switch
DC Collector Current
2kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.2V
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
150°C
IGBT Termination
Tab
Collector Emitter Voltage Max
3.3kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Collector Current
2kA
Collector Emitter Saturation Voltage
2.45V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
3.3kV
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
IHM-B Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits