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FZ825R33HE4DBPSA1
IGBT Module, Dual, Common Emitter, 825 A, 2.4 V, 150 °C, Module
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantFZ825R33HE4DBPSA1
Code Commande52AJ5107
Gamme de produitIHM-B Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 56 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1 568,760 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1 568,76 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFZ825R33HE4DBPSA1
Code Commande52AJ5107
Gamme de produitIHM-B Series
Fiche technique
IGBT ConfigurationDual, Common Emitter
Continuous Collector Current825A
DC Collector Current825A
Collector Emitter Saturation Voltage2.4V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.4V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo3.3kV
Collector Emitter Voltage Max3.3kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeIHM-B Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Dual, Common Emitter
DC Collector Current
825A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.4V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
3.3kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
825A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.4V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
3.3kV
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
IHM-B Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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