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GS0650086LMRXUSA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,380 $ |
| 10+ | 3,870 $ |
| 25+ | 3,550 $ |
| 50+ | 3,200 $ |
| 100+ | 2,780 $ |
| 250+ | 2,210 $ |
| 500+ | 2,100 $ |
| 1000+ | 1,980 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,38 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantGS0650086LMRXUSA1
Code Commande42AM5326
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id8.8A
Drain Source On State Resistance0.235ohm
Typical Gate Charge1.6nC
Transistor Case StylePDFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
0.235ohm
Transistor Case Style
PDFN
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
8.8A
Typical Gate Charge
1.6nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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