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GS0650112LMRXUSA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantGS0650112LMRXUSA1
Code Commande42AM5330
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,190 $ |
| 10+ | 5,450 $ |
| 25+ | 5,010 $ |
| 50+ | 4,520 $ |
| 100+ | 3,940 $ |
| 250+ | 3,120 $ |
| 500+ | 2,960 $ |
| 1000+ | 2,780 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantGS0650112LMRXUSA1
Code Commande42AM5330
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.195ohm
Typical Gate Charge2.2nC
Transistor Case StylePDFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.195ohm
Transistor Case Style
PDFN
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
11A
Typical Gate Charge
2.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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