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GS66504BTRXUMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 17,100 $ |
| 10+ | 15,720 $ |
| 25+ | 14,530 $ |
| 50+ | 13,360 $ |
| 100+ | 12,180 $ |
| 250+ | 11,370 $ |
| 500+ | 10,680 $ |
| 1000+ | 10,150 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
17,10 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantGS66504BTRXUMA1
Code Commande42AM5359
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id15A
Drain Source On State Resistance0.13ohm
Typical Gate Charge3.3nC
Transistor Case StyleGaNPX
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.13ohm
Transistor Case Style
GaNPX
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
15A
Typical Gate Charge
3.3nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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