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IAUMN08S5N013GAUMA1
MOSFET, N-CH, 80V, 250A, HSOG-4
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIAUMN08S5N013GAUMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine14AM4371RL
Bandes découpées14AM4371
Votre numéro de pièce
1 530 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 9,940 $ | 9,94 $ |
| Total Prix | 9,94 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,940 $ |
| 50+ | 5,740 $ |
| 100+ | 5,340 $ |
| 250+ | 5,160 $ |
| 500+ | 4,960 $ |
| 1000+ | 4,520 $ |
| 2500+ | 4,070 $ |
| 5000+ | 3,990 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIAUMN08S5N013GAUMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine14AM4371RL
Bandes découpées14AM4371
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id250A
Drain Source On State Resistance1300µohm
Transistor Case StyleHSOG
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation307W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
250A
Transistor Case Style
HSOG
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
307W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit