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IAUTN12S5N017ATMA1
MOSFET, N-CH, 120V, 314A, HSOF
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIAUTN12S5N017ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine78AK6112RL
Bandes découpées78AK6112
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Votre numéro de pièce
1 523 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 10,190 $ | 10,19 $ |
| Total Prix | 10,19 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,190 $ |
| 50+ | 5,460 $ |
| 100+ | 5,000 $ |
| 250+ | 4,890 $ |
| 500+ | 4,770 $ |
| 1000+ | 4,680 $ |
| 2500+ | 4,580 $ |
| 5000+ | 4,490 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIAUTN12S5N017ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine78AK6112RL
Bandes découpées78AK6112
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id314A
Drain Source On State Resistance1500µohm
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation358W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
314A
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
358W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
1500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit