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| 10+ | 15,600 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIDW40G120C5BFKSA1
Code Commande97Y1812
Gamme de produitthinQ
Fiche technique
Product RangethinQ
Diode ConfigurationCommon Cathode
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current110A
Total Capacitive Charge202nC
Diode Case StyleTO-247
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
5th Generation thinQ!™ 1200V SiC schottky diode suitable for use in solar inverters, uninterruptable power supplies, motor drives and power factor correction. Benefits of using Schottky diode are system efficiency improvement over Si diodes, enabling higher frequency / increased power density solutions, system size/cost savings due to reduced heatsink requirements and smaller magnetics, reduced EMI, highest efficiency across the entire load range, robust diode operation during surge events and high reliability.
- Revolutionary semiconductor material - silicon carbide
- No reverse recovery current / no forward recovery
- Temperature independent switching behaviour
- Low forward voltage even at high operating temperature
- Tight forward voltage distribution
- Excellent thermal performance
- Extended surge current capability
- Specified dv/dt ruggedness
- Qualified according to JEDEC for target applications
Spécifications techniques
Product Range
thinQ
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
202nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Diode Configuration
Common Cathode
Average Forward Current
110A
Diode Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit