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IGLT65R035D2ATMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 47 A, 42 mohm, 7.7 nC, HDSOP, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGLT65R035D2ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine20AM0174RL
Bandes découpées20AM0174
Votre numéro de pièce
794 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 14,780 $ | 14,78 $ |
| Total Prix | 14,78 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 14,780 $ |
| 50+ | 10,240 $ |
| 100+ | 8,180 $ |
| 250+ | 7,850 $ |
| 500+ | 7,400 $ |
| 1000+ | 6,940 $ |
| 2500+ | 6,720 $ |
| 5000+ | 6,520 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGLT65R035D2ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine20AM0174RL
Bandes découpées20AM0174
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit