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IGLT65R045D2ATMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGLT65R045D2ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine20AM0175RL
Bandes découpées20AM0175
Votre numéro de pièce
596 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 11,930 $ | 11,93 $ |
| Total Prix | 11,93 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,930 $ |
| 50+ | 8,110 $ |
| 100+ | 6,110 $ |
| 250+ | 5,950 $ |
| 500+ | 5,850 $ |
| 1000+ | 5,740 $ |
| 2500+ | 5,620 $ |
| 5000+ | 5,500 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGLT65R045D2ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine20AM0175RL
Bandes découpées20AM0175
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit