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IGLT65R055D2ATMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 31 A, 66 mohm, 4.7 nC, HDSOP, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGLT65R055D2ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande
Mise en bobine20AM0176RL
Bandes découpées20AM0176
Gamme de produitCoolGaN G5 Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 9,830 $ | 9,83 $ |
| Total Prix | 9,83 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,830 $ |
| 50+ | 5,280 $ |
| 100+ | 4,980 $ |
| 250+ | 4,800 $ |
| 500+ | 4,540 $ |
| 1000+ | 4,450 $ |
| 2500+ | 4,350 $ |
| 5000+ | 4,270 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGLT65R055D2ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande
Mise en bobine20AM0176RL
Bandes découpées20AM0176
Gamme de produitCoolGaN G5 Series
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance66mohm
Typical Gate Charge4.7nC
Transistor Case StyleHDSOP
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins16Pins
Product RangeCoolGaN G5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
66mohm
Transistor Case Style
HDSOP
No. of Pins
16Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
31A
Typical Gate Charge
4.7nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit