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IGOT65R035D2AUMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 44 A, 42 mohm, 7.7 nC, SOIC, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGOT65R035D2AUMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine20AM0179RL
Bandes découpées20AM0179
Votre numéro de pièce
800 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 15,210 $ | 15,21 $ |
| Total Prix | 15,21 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 15,210 $ |
| 50+ | 10,590 $ |
| 100+ | 8,510 $ |
| 250+ | 8,150 $ |
| 500+ | 7,610 $ |
| 1000+ | 7,230 $ |
| 2500+ | 6,990 $ |
| 5000+ | 6,770 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGOT65R035D2AUMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine20AM0179RL
Bandes découpées20AM0179
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit