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IGT60R190D1ATMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGT60R190D1ATMA1Copie
Code Commande78AK6124
Gamme de produitCoolGaN Series
Votre numéro de pièce
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGT60R190D1ATMA1Copie
Code Commande78AK6124
Gamme de produitCoolGaN Series
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.14ohm
Typical Gate Charge3.2nC
Transistor Case StylePG-HSOF-8-3
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
Transistor Case Style
PG-HSOF-8-3
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
12A
Typical Gate Charge
3.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits