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IGT65R025D2ATMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGT65R025D2ATMA1
Code Commande27AM0096
Gamme de produitCoolGaN G5 Series
Fiche technique
500 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 14,670 $ |
| 10+ | 11,940 $ |
| 25+ | 11,280 $ |
| 50+ | 10,610 $ |
| 100+ | 9,960 $ |
| 250+ | 9,410 $ |
| 500+ | 8,870 $ |
| 1000+ | 8,340 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
14,67 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGT65R025D2ATMA1
Code Commande27AM0096
Gamme de produitCoolGaN G5 Series
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Typical Gate Charge11nC
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN G5 Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Transistor Case Style
HSOF
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
70A
Typical Gate Charge
11nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN G5 Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit