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IGT65R055D2XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGT65R055D2XTMA1
Code Commande22AM1426
Gamme de produitCoolGaN G5 Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,210 $ |
| 10+ | 9,000 $ |
| 25+ | 8,250 $ |
| 50+ | 7,470 $ |
| 100+ | 6,500 $ |
| 250+ | 5,150 $ |
| 500+ | 4,880 $ |
| 1000+ | 4,590 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
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10,21 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGT65R055D2XTMA1
Code Commande22AM1426
Gamme de produitCoolGaN G5 Series
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.066ohm
Typical Gate Charge4.7nC
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN G5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.066ohm
Transistor Case Style
HSOF
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
31A
Typical Gate Charge
4.7nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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