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IHW50N65R6XKSA1
IGBT, 100 A, 1.3 V, 251 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,980 $ |
| 10+ | 2,730 $ |
| 25+ | 2,560 $ |
| 50+ | 2,420 $ |
| 100+ | 2,270 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIHW50N65R6XKSA1
Code Commande32AK4926
Fiche technique
Continuous Collector Current100A
DC Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.3V
Collector Emitter Saturation Voltage1.3V
Power Dissipation Pd251W
Power Dissipation251W
Collector Emitter Voltage Max650V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Continuous Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.3V
Power Dissipation Pd
251W
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
DC Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.3V
Power Dissipation
251W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit