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IKW40N120H3FKSA1
IGBT, 80 A, 2.05 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIKW40N120H3FKSA1
Code Commande37T8083
Egalement appeléIKW40N120H3, SP000674416
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,140 $ |
| 10+ | 9,040 $ |
| 25+ | 5,160 $ |
| 50+ | 4,970 $ |
| 100+ | 4,910 $ |
| 250+ | 4,860 $ |
| 500+ | 4,800 $ |
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Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIKW40N120H3FKSA1
Code Commande37T8083
Egalement appeléIKW40N120H3, SP000674416
Fiche technique
DC Collector Current80A
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.05V
Collector Emitter Saturation Voltage2.05V
Power Dissipation Pd483W
Power Dissipation483W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IKW40N120H3 is a 1200V Discrete IGBT with very soft, fast recovery anti-parallel diode designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching at frequencies below 70kHz. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behaviour and thus leading to low turn off losses. Discrete IGBT is ideal for hard switching applications as well as soft switching applications and other resonant applications.
- Low switching losses for high efficiency
- Fast switching behaviour with low EMI emissions
- Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
- Short circuit capability
- Excellent performance
- Low switching and conduction losses
Spécifications techniques
DC Collector Current
80A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.05V
Power Dissipation Pd
483W
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Collector Current
80A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.05V
Power Dissipation
483W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit