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IMBG120R034M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG120R034M2HXTMA1
Code Commande20AM2571
Gamme de produitCoolSiC Gen 2 Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,670 $ |
| 10+ | 9,140 $ |
| 25+ | 8,620 $ |
| 50+ | 8,120 $ |
| 100+ | 7,610 $ |
| 250+ | 7,330 $ |
| 500+ | 7,040 $ |
| 1000+ | 6,400 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
11,67 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG120R034M2HXTMA1
Code Commande20AM2571
Gamme de produitCoolSiC Gen 2 Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.034ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation278W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
58A
Drain Source On State Resistance
0.034ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
278W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit