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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG120R060M1HXTMA1
Code Commande92AH5309
Gamme de produitCoolSiC
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.06ohm
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation181W
Power Dissipation Pd181W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
181W
Product Range
CoolSiC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
On Resistance Rds(on)
0.06ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
181W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit