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IMBG120R140M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG120R140M1HXTMA1
Code Commande92AH5311
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
Fiche technique
13 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,090 $ |
| 10+ | 3,090 $ |
| 25+ | 3,090 $ |
| 50+ | 3,090 $ |
| 100+ | 3,090 $ |
| 250+ | 3,090 $ |
| 500+ | 3,090 $ |
| 1000+ | 3,090 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,09 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG120R140M1HXTMA1
Code Commande92AH5311
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.14ohm
Drain Source On State Resistance0.189ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.7V
Power Dissipation107W
Power Dissipation Pd107W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
IMBG120R140M1HXTMA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology. Typical applications include drives, infrastructure – charger, energy generation solar string inverter and solar optimizer and industrial power supplies-industrial UPS.
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Fully controllable dV/dt
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- Package creepage and clearance distance <gt/> 6.1mm
- Sense pin for optimized switching performance
- Efficiency improvement, enabling higher frequency and increased power density
- Cooling effort reduction and reduction of system complexity and cost
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.189ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.7V
Power Dissipation Pd
107W
Product Range
CoolSiC Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
On Resistance Rds(on)
0.14ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
107W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit